Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
N
Phase Control Thyristor
T 508 N 12 ...18
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
Freiwerdezeit
tq
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
circuit commutatet turn-off time
typ.
250
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, ? =180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, ? =180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
thermal resitance, junction to case
max. 0,0530
max. 0,0500
max. 0,0880
max. 0,0850
max. 0,1230
max. 0,1200
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Kathode / cathode, ? =180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCK
thermal resitance, case to heatsink
max. 0,0075
max. 0,0150
°C/W
°C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
125
-40...125
-40...140
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
5 ...10
kN
g
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
100
17
C
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50Hz
humidity classification
Schwingfestigkeit
50
m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther
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A
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
