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T281N 参数 Datasheet PDF下载

T281N图片预览
型号: T281N
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内容描述: 相位控制晶闸管 [Phase Control Thyristor]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 279 K
品牌: EUPEC [ EUPEC GMBH ]
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Datenblatt / Data sheet  
N
Vorläufige Daten  
Preliminary data  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T281N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
typ.  
typ.  
typ.  
1000 µs  
Freiwerdezeit  
circuit commutated turn-off time  
Tvj = Tvj max, iTM = 500A  
tq  
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
4.Kennbuchstabe / 4th letter O  
2600 µAs  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
Tvj = Tvj max, iTM = 500A  
Qr  
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs  
85  
A
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
Tvj = Tvj max, iTM = 500A  
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs  
IRM  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, DC  
RthJC  
max.  
max.  
max.  
max.  
0,043 °C/W  
0,040 °C/W  
0,072 °C/W  
0,090 °C/W  
Kathode / cathode, DC  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sides  
Übergangs-Wärmewiderstand  
RthCH  
0,006  
0,012  
max.  
max.  
°C/W  
°C/W  
thermal resistance, junction to case  
einseitig / single-sides  
125 °C  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
-40...+125 °C  
-40...+150 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
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Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Anpresskraft  
clamping force  
F
7...12 kN  
Steueranschlüsse  
control terminals  
Gate  
Kathode /Cathode  
Ø 1,5 x 3,2 mm  
A 4,8 x 0,4 mm  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
250 g  
Kriechstrecke  
25 mm  
50 m/s²  
creepage distance  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in  
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging  
technical notes.  
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner  
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