Datenblatt / Data sheet
N
Vorläufige Daten
Preliminary data
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T281N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Fehler! Kein Thema angegeben.
typ.
typ.
typ.
1000 µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = 500A
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Thermische Eigenschaften
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Mechanische Eigenschaften
2600 µAs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max, iTM = 500A
Qr
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs
85
A
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max, iTM = 500A
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs
IRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,043 °C/W
0,040 °C/W
0,072 °C/W
0,090 °C/W
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,006
0,012
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, junction to case
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
7...12 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate
Kathode /Cathode
Ø 1,5 x 3,2 mm
A 4,8 x 0,4 mm
Gewicht
weight
G
typ.
250 g
Kriechstrecke
25 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner
Seite/page
2/8