Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1851N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
600 µs
12 mAs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Thermische Eigenschaften
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Mechanische Eigenschaften
max.
max.
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
Qr
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
280
A
Rückstromspitze
Tvj = Tvj max
IRM
peak reverse recovery current
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
RthJC
max. 0,0065 °C/W
max. 0,006
max. 0,011
max. 0,013
°C/W
°C/W
°C/W
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,002
0,004
max.
max.
°C/W
°C/W
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
F
45...65 kN
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
1500 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
f = 50 Hz
vibration resistance
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
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