Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1503N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Thermische Eigenschaften
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
550 µs
15 mAs
Mechanische Eigenschaften
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
Qr
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
max.
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
max.
350
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
RthJC
max. 0,0063 °C/W
max. 0,0060 °C/W
max. 0,0106 °C/W
max. 0,0138 °C/W
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,0015
0,003
max.
max.
°C/W
°C/W
einseitig / single-sided
120 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+120 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
63...91 kN
Gewicht
weight
G
typ.
3000 g
Kriechstrecke
49 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
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