Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ2400R12KE3_B9
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr, (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 2400 A, V†Š = 600 V
1400
100
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
1200
1000
800
600
400
200
0
10
i:
rÍ[K/kW]:
τÍ[s]:
1
5
2
4,43
3
0,76 0,81
4
0,0044 0,0381 0,195 0,5
1
0
1
2
3
4
R• [Â]
5
6
7
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr, (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv, (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0,3 Â, TÝÎ = 125°C
5600
4800
4000
3200
2400
1600
4800
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
4200
3600
3000
2400
1800
1200
600
800
0
Ic, Modul
I†, Chip
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VŒ [V]
2,0
2,4
2,8
3,2
prepared by: Marco Heidler
date of publication: 2004-7-6
revision: 2.0
approved by: Christoph Lübke
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