Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS75R06KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 75 A, V†Š = 300 V
6,0
1
5,5
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,036 0,198 0,192 0,174
4
τÍ[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R• [Â]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 5,1 Â, TÝÎ = 150°C
165
150
135
120
105
90
150
135
120
105
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
75
75
60
60
45
45
30
30
I†, Modul
I†, Chip
15
15
0
0
0
100
200
300 400
V†Š [V]
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VΠ[V]
prepared by: Christoph Messelke
approved by: Robert Severin
date of publication: 2006-1-2
revision: 2.0
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
