Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS6R06VE3_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 6 A, V†Š = 300 V
0,5
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ™: IGBT
0,4
EÓËË, TÝÎ = 150°C
0,3
1
0,2
0,1
0,0
i:
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,414 0,9384 1,587 1,6606
0,0005 0,005 0,05 0,2
τÍ[s]:
0,1
0,001
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 47 Â, TÝÎ = 150°C
14
12
10
8
12
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
10
8
6
4
2
0
6
4
I†, Modul
I†, Chip
2
0
0
200
400
V†Š [V]
600
800
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VΠ[V]
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2004-10-8
revision: 2.0
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
