IGBT-Module
FS 300 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
DC-collector current
VCES
IC
1200 V
300 A
repetitive peak collector current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
tp=1 ms
ICRM
Ptot
600 A
tC=25°C, Transistor /transistor
2000 W
+/- 20 V
300 A
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
VGE
IF
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulation test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
600 A
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
2,7
3,3
5,5
22
-
max.
3,2 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
iC=300A, vGE=15V, tvj=25°C
iC=300A, vGE=15V, tvj=125°C
iC=12mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0V
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C
iC=300A,vCE=600V
vCE sat
-
-
3,9 V
6,5 V
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
vGE(th)
Cies
4,5
-
-
-
-
-
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
iCES
5 mA
50 mA
400 nA
400 nA
-
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
iGES
iEGS
ton
-
gate leakage current
-
turn-on time (inductive load)
v = ±15V,R =6,8 , t =25°C
-
-
0,35
0,45
- µs
- µs
W
vj
L
G
v = ±15V,R =6,8 , t =125°C
W
vj
L
G
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
iC=300A,vCE=600V
v = ±15V,R =6,8 , t =25°C
ts
-
-
0,9
1,0
- µs
- µs
W
vj
L
G
v = ±15V,R =6,8 , t =125°C
W
vj
L
G
iC=300A,vCE=600V
v = ±15V,R =6,8 , t =25°C
tf
-
-
0,10
0,15
- µs
- µs
W
vj
L
G
v = ±15V,R =6,8 , t =125°C
W
vj
L
G
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF=300A, vGE=0V, tvj=25°C
iF=300A, vGE=0V, tvj=125°C
iF=300A, -diF/dt=300A/µs
VF
-
-
2,3
2,1
2,9 V
- V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
vRM=600V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, tvj=125°C
iF=300A, -diF/dt=300A/µs
-
-
25
65
- A
- A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
vRM=600V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=600V, vEG=10V, tvj=125°C
-
-
4
- µAs
- µAs
20
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor,DC,pro Modul/per module RthJC
Transistor,DC,pro Zweig/per arm
Diode,DC, pro Modul/per module
Diode,DC, pro Zweig/per arm
0,011 °C/W
0,064 °C/W
0,023 °C/W
0,140 °C/W
0,006 °C/W
0,036 °C/W
150 °C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCK
typ.
typ.
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
tvj max
tc op
tc op
tstg
Transistor / transistor
Diode / diode
-40...+150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
3 Nm
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque
M1
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque
terminals M6
M2
G
5...6 Nm
Gewicht
weight
ca. 2300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
eupec
GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
