Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS225R12KE3
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 225 A, V†Š = 600 V
80
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
70
60
50
40
30
20
10
0
0,1
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0066 0,0363 0,0352 0,0319
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0
4
8
12
16
R• [Â]
20
24
28
32
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 3,3 Â, TÝÎ = 125°C
500
450
400
350
300
250
200
150
450
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
375
300
225
150
75
100
I†, Modul
I†, Chip
50
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
prepared by: Marco Bäßler
date of publication: 2005-2-2
revision: 3.1
approved by: Wilhelm Rusche
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
