Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS150R17KE3G
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 150 A, V†Š = 900 V
300
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
250
200
150
100
50
0,1
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,012 0,036 0,048 0,024
4
τÍ[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0
0,001
0,001
0
10
20
30
40 50
R• [Â]
60
70
80
90
0,01
0,1
1
t [s]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 9,1 Â, TÝÎ = 125°C
350
300
250
200
150
100
300
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
250
200
150
100
50
I†, Modul
I†, Chip
50
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-11-2
revision: 2.1
approved by: Wilhelm Rusche
5
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
