Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3G
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 43 Â, V†Š = 300 V
IŒ = 50 A, V†Š = 300 V
1,0
1,2
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IΠ[A]
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IŒ = f (VŒ)
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ZÚÌœ† : Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 150°C
1
0,1
i: 3
rÍ[K/W]: 0,072 0,396 0,384 0,348
1
2
4
τÍ[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VΠ[V]
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2006-6-16
revision: 2.0
9
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
