FF 400 R12 KF4
-1
10
800
700
600
Diode
IGBT
6
Z
(th)JC
[°C/W]
i
F
[
]
A
3
2
500
400
-2
10
5
300
200
100
0
3
2
-3
10
-3
-2
-1
0
1
10
2
4
10
2
4
10
2
4
10
2
4
10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
[ ]
s
[
]
V
t
v
FF400R12KF4
FF400R12KF4
F
Bild/Fig. 5
Bild/Fig. 6
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)
Transient thermal impedance per arm (DC)
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
t
t
=
25 °C
vj
vj
= 125 °C