Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 75 GB 60 DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
Z thJC = f (t)
1
0,1
Zth:IGBT
Zth:Diode
0,01
0,001
0,001
0,01
0,1
1
3
10
t [sec]
1
2
4
i
: IGBT
14,8
183,4
0,0240
223,1
0,0169
123,4
0,0651
140,1
28,4
ri [K/kW]
τi [sec]
ri [K/kW]
τi [sec]
: IGBT
: Diode
: Diode
0,0018
232,6
0,0487
0,6626
64,2
0,1069
0,9115
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE= +15V, RG,off= 3,0Ω, Tvj= 125°C
175
150
125
100
75
IC,Modul
IC,Chip
50
25
0
0
100
200
300
400
500
600
700
VCE [V]
BSM 75 GB 60 DLC
2000-02-08
7 (8)
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
