EtronTech
特点
•
16位组织为2M的话
•
快速周期时间： 55ns ， 70ns的
•
待机电流： 100uA的
•
深度掉电电流： 10微安（存储单元数据
无效）
•
字节的数据控制： LB ＃ （ DQ0 - 7 ） ，瑞银（ DQ8 - 15 ）
•
兼容低功耗SRAM
•
单电源电压： 3.0V ± 0.3V
•
封装类型： 48球FBGA封装， 6x8mm
EM567168
2M ×16伪SRAM
版本1.1
2004年4月
引脚分配48球BGA ，顶视图
1
2
3
4
5
6
A
磅＃
OE ＃
A0
A1
A2
CE2
B
DQ8
UB ＃
A3
A4
CE1#
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
引脚说明
符号
A0 – A20
DQ0 〜 DQ15
CE1#
CE2
OE ＃
WE＃
磅＃
UB ＃
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
深度掉电
OUTPUT ENABLE
写控制
低字节控制
高字节控制
电源
地
D
VSS
DQ11
A17
A7
DQ3
VCC
E
VCC
DQ12
NC
A16
DQ4
VSS
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
G
DQ15
A19
A12
A13
WE＃
DQ7
H
A18
A8
A9
A10
A11
A20
概观
该EM567168是由16位组织为2M字32M位的伪SRAM 。它的设计与先进的
CMOS技术规定的RAM ，具有低功耗静态RAM兼容的功能和引脚配置。
该器件采用单电源供电。先进的电路技术提供了高速和
低功耗。它会自动放置在低功耗模式下，当CE1 ＃或两者UB ＃和LB ＃被置为高电平或
CE2为低电平。有三个控制输入。 CE1 ＃ ，CE2分别用于选择该设备，并输出
启用（ OE ＃ ）提供了快速内存访问。数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）为低，高字节
访问。该装置非常适合于各种微处理器系统的应用中的高速，低功率
和需要备用电池。并且，以保证宽的工作范围内，则EM567168可以在使用
环境表现出极端的温度条件。
引脚位置
符号位置符号位置的符号位置的符号位置符号
A0
A3
A8
H2
A16
E4
DQ3
D5
DQ11
A1
A4
A9
H3
A17
D3
DQ4
E5
DQ12
A2
A5
A10
H4
A18
H1
DQ5
F5
DQ13
A3
B3
A11
H5
A19
G2
DQ6
F6
DQ14
A4
B4
A12
G3
A20
H6
DQ7
G6
DQ15
A5
C3
A13
G4
DQ0
B6
DQ8
B1
CE1#
A6
C4
A14
F3
DQ1
C5
DQ9
C1
CE2
A7
D4
A15
F4
DQ2
C6
DQ10
C2
OE ＃
定位符号位置
D2
WE＃
G5
E2
磅＃
A1
F2
UB ＃
B2
F1
VCC
D6
G1
VCC
E1
B5
GND
D1
A6
GND
E6
A2
NC
E3
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