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EM566169BC-70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM566169BC-70
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内容描述: 1M ×16的SRAM伪 [1M x 16 Pseudo SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 130 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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Et r on Tech  
EM566169BC  
AC Test Condition  
Output load : 30pF + one TTL gate  
Input pulse level : 0.4V, 2.4  
Timing measurements : 0.5 x V  
CC  
tR, tF : 5ns  
AC Test Loads  
RL = 50 Ω  
VL = 1.5 V  
DOUT  
CL1 = 30 pF  
Z0 = 50 Ω  
Note:  
1. Including scope and jig capacitance  
State Diagram  
Deep Power Down Exit Sequence  
CE1# = VIH or VIL,  
CE2=VIH  
Deep Power  
Down Mode  
CE2=VIH  
CE2=VIL  
Initial State  
(Wait 200µs)  
Power  
on  
Active  
CE1# =VIL,  
CE2=VIH,  
CE2=VIL  
CE2=VIH,  
CE1# =VIH  
Power Up Sequence  
or UB#, LB#  
=VIH  
Standby  
Standby Mode Characteristics  
Power Mode  
Standby  
Memory Cell Data  
Standby Current (µA)  
Wait Time  
0 ns  
Valid  
100  
10  
Deep Power Down  
Invalid  
200 µs  
7
Rev 0.6  
Apr. 2004