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     P 沟道，1.5 V 指定，PowerTrench® 薄款 WL-CSP MOSFET，-20V，-2.6A，140mΩ
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    FDS8884

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，8.5A，23mΩ
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    T501N70TOH

     T501N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 76mm，高度 26mm。
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    GCM3195G2A512GA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    ISC030N12NM6

     This is a normal level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 3.04 mOhm on-resistance.  ISC030N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
    暂无信息
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    PMV52ENE

     30 V, N-channel Trench MOSFETProduction
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FMS6404CSX

     带声频陷波器和群延迟补偿的精密复合视频输出
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    GRT21BD71H225KE13#

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