ET630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ET630
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内容描述：	9安培， 200Volts N沟道MOSFET [9 Amps，200Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 634 K
品牌：	ESTEK [ Estek Electronics Co. Ltd ]

ET630

9安培

，

200Volts

N沟道MOSFET

■

描述

该

ET630

N沟道增强型硅栅功率

MOSFET是专为高电压，高速功率开关

应用，例如开关稳压器，开关转换器，

电磁线圈，电机驱动器，继电器驱动器

■

特点

* RDS （ ON） = 0.4Ω@VGS = 10 V

*超低栅极电荷（典型的19 NC）

*低反向传输电容（ CRSS =典型80 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力

■

符号

■

绝对最大额定值

=25℃,unless

参数

漏源电压

栅源电压

排水Currenet

连续

漏电流脉冲

雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）

总功耗

=25℃

减免上述25 °

结温

重复的（注2）

单脉冲（注3 ）

=25℃

=100℃

另有规定）

PATINGS

200

±20

6.3

8.0

150

3.5

+150

单位

V / ns的

W/℃

℃

符号

DSS

GSS

dv / dt的

北京ESTEK ELECTRONICS CO 。， LTD。

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