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    ISC010N04NM6

     凭借先进的 40V OptiMOSTM 6  正常电平功率MOSFET，英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
    电池栅驱动栅极
    0 INFINEON

    GMD033R11E221MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRT1555C1H121GA02#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM216R11H392JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDD16AN08A0-F085

     N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，75V，50A，13mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM1551X1E3R8BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    PMV52ENE

     30 V, N-channel Trench MOSFETProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    GJM1555C1H2R2WB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCQ1555C1H170JB01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FQU4N50TU-WS

     N 沟道 QFET® MOSFET 500V，2.6A，2.7Ω
    暂无信息
    0 ONSEMI

    BM61M22BFJ-C

     本品为内置绝缘电压2500Vrms、最大输入输出延迟时间60ns、最小输入脉冲宽度60ns的绝缘元件的栅极驱动器。内置低电压时误动作防止功能（UVLO）。
    栅极驱动脉冲驱动器
    0 ROHM

    GRM0332C1E9R7CA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0335C2A5R6WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    GRM188R71H271JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    10-EZ126PA025SC-L858F48T

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
    暂无信息
    1 VINCOTECH

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