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    M24L416256SA-70BIG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L416256SA-70BIG图片预览
    型号： M24L416256SA-70BIG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 256K ×16 ）伪静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 317 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M24L416256SA-70BIG的Datasheet PDF文件第11页  
    ESMT  
    M24L416256SA  
    Switching Waveforms (continued)  
    Write Cycle 1 ( WE Controlled)[12, 13, 17, 18, 19]  
    Write Cycle 2 (CE Controlled)[12, 13, 17, 18, 19]  
    Notes:  
    17.Data I/O is high-impedance if OE ≥ VIH.  
    18.If Chip Enable goes INACTIVE with WE = VIH, the output remains in a high-impedance state.  
    19.During this period in the DATA I/O waveform, the I/Os could be in the output state and input signals should not be applied.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Jul. 2008  
    Revision: 1.4 7/14  

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