M11L16161A-60T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M11L16161A-60T
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内容描述：	[EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44]
分类和应用：	动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小：	16 页 / 202 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

M11B16161A / M11B16161SA

M11L16161A / M11L16161SA

READ CYCLE

t_{R C}

t_{R A S}

t_{R P}

V ^{I H}

V I L

R AS

t_{C S H}

t_{R S H}

t_{RR H}

t_{C R P}

t_{C L C H}

t_{C A S}

t_{R C D}

V I H

V ^{I L}

C A SL ,C AS H

t_{A R}

t_{R A L}

t_{C A H}

t_{R A D}

t_{R A H}

t_{A S C}

t_{A S R}

t_{A C H}

V ^{I H}

V I L

A D D R

W E

R O W

C O L U M N

t_{R C S}

t_{RC H}

VI H

V^{I L}

t _{A A}

t_{R A C}

N O TE 1

t_{O F F 1}

t _{C A C}

t_{C L Z}

VO H

VO L

I/O

OP EN

VAL ID D ATA

t _{O F F 2}

t_{O A C}

V^{I H}

VI L

EARLY WRITE CYCLE

t_{R C}

t_{R A S}

t _{R P}

V ^{I H}

V I L

RA S

t_{C S H}

t_{R S H}

t_{C AS}t_{C L C H}

t_{C R P}

t_{R C D}

VI H

V^{I L}

C A SL ,C AS H

t_{A R}

t_{R A L}

t_{C A H}

t_{R A D}

t_{R A H}

t_{A S R}

t _{AS C}

t_{A C H}

VI H

V^{I L}

C O LU M N

R O W

A D D R

R O W

t_{C W L}

t_{R W L}

t_{W C R}

t_{W C H}

t _{W C S}

t _{W P}

V^{I H}

VI L

W E

t_{DH R}

t_{D H}

t_{D S}

V ^{I H}

V I L

I/ O

O E

VAL ID D A TA

V I H

V I L

DON'T CARE

UNDEFINED

OFF1

Note: 1. t

is referenced from the rising edge of RAS or CAS , whichever occurs last.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2001

Revision : 1.3

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