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F49L400BA 参数 Datasheet PDF下载

F49L400BA图片预览
型号: F49L400BA
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内容描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 47 页 / 388 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EFST  
F49L400UA/F49L400BA  
6. FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
BYTE  
CE  
WRITE  
PROGRAM / ERASE  
HIGH VOLTAGE  
CONTROL  
INPUT  
LOGIC  
STATE  
MACHING  
(WSM)  
OE  
WE  
RESET  
STATE  
REGISTER  
F49L400U/BA  
FLASH  
ADDRESS  
LATCH  
ARRAY  
SOURCE  
HV  
ARRAY  
A0~A17  
AND  
BUFFER  
COMMAND  
DATA  
DECODER  
Y-PASS GATE  
PGM  
DATA  
HV  
SENSE  
AMPLIFIER  
COMMAND  
DATA LATCH  
PROGRAM  
DATA LATCH  
DQ0~DQ14  
DQ15 / A-1  
I / O BUFFER  
Elite Flash Storage Technology Inc.  
Publication Date : Sep. 2006  
Revision: 1.1  
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