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EM422M1684LBA-8FE 参数 Datasheet PDF下载

EM422M1684LBA-8FE图片预览
型号: EM422M1684LBA-8FE
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内容描述: 512MB ( 8M × 4Bank × 16 ),双倍数据速率SDRAM [512Mb (8M】4Bank】16) Double DATA RATE SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 20 页 / 961 K
品牌: EOREX [ EOREX CORPORATION ]
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eorex  
Preliminary  
EM42BM1684LBB  
AC Operating Test Conditions  
(VDD=1.8V ± 0.1V, TA=0°C ~70°C)  
Item  
Conditions  
0.9V/0.9V  
Output Reference Level  
Output Load  
See diagram as below  
1.6V/0.2V  
Input Signal Level  
Transition Time of Input Signals  
Input Reference Level  
0.5ns  
0.9V  
AC Operating Test Characteristics  
(VDD=1.8V±0.1V, TA=0°C ~70°C)  
-7.5  
Symbol  
Parameter  
Units  
Min.  
2
Max.  
tDQCK  
tDQSCK  
tCL,tCH  
tCK  
DQ output access from CLK,/CLK  
DQS output access from CLK,/CLK  
CL low/high level width  
6
ns  
ns  
tCK  
ns  
ns  
2
6
0.45  
7.5  
0.8  
0.55  
Clock Cycle Time  
-
-
tDH,tDS  
DQ and DM hold/setup time  
DQ and DM input pulse width for  
each input  
Data out high/low impedance time  
from CLK,/CLK  
DQS-DQ skew for associated DQ  
signal  
tDIPW  
tHZ,tLZ  
tDQSQ  
1.75  
-
6
ns  
ns  
ns  
1
-
0.65  
Write command to first latching DQS  
transition  
tDQSS  
tDSL,tDSH  
tMRD  
0.75  
0.2  
2
1.25  
tCK  
tCK  
tCK  
DQS input valid window  
-
-
Mode Register Set command cycle  
time  
tWPRES  
tWPST  
tIH,tIS  
tRPRE  
Write Preamble setup time  
Write Preamble  
0
-
ns  
0.4  
0.6  
tCK  
Address/control input hold/setup  
time  
1.3  
0.9  
-
ns  
Read Preamble  
1.1  
tCK  
Jul. 2006  
www.eorex.com  
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