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    SCT4045DR

     SCT4045DR是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
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    FDPC8014AS

     25V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET
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    ISC030N12NM6

     This is a normal level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 3.04 mOhm on-resistance.  ISC030N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
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