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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FDMD8630

     双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30 V， 167 A，1.0 mΩ
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     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GCM1555C1H431FA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    PSMN1R0-25YLD

     N-channel 25 V, 1.0 mΩ, 240 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 TechnologyProduction
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    IPF010N06NF2S

     Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features lowest RDS(on) of 1.05 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
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