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EM611FU8GT-45LL 参数 Datasheet PDF下载

EM611FU8GT-45LL图片预览
型号: EM611FU8GT-45LL
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内容描述: 512K ×8位低功耗全CMOS静态RAM [512K x8 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 387 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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EM641FT8  
Low Power, 512Kx8 SRAM  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Parameter  
VCC for Data Retention  
Symbol  
VDR  
Test Condition  
Min  
Typ2)  
Max  
Unit  
ISB1 Test Condition  
(Chip Disabled) 1)  
1.5  
-
-
V
ISB1 Test Condition  
(Chip Disabled) 1)  
IDR  
Data Retention Current  
-
1
7
µA  
Chip Deselect to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
tSDR  
tRDR  
0
-
-
-
-
See data retention wave form  
ns  
tRC  
NOTES  
1. See the ISB1 measurement condition of data sheet page 4.  
2. Typical value is measured at TA=25oC and not 100% tested.  
DATA RETENTION WAVE FORM  
tRDR  
tSDR  
Data Retention Mode  
Vcc  
5V  
2.2V  
VDR  
V
1.5V  
DR  
CS > Vcc-0.2V  
CS  
GND  
9