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    EM612FS8GU-70LL 参数 Datasheet PDF下载

    EM612FS8GU-70LL图片预览
    型号： EM612FS8GU-70LL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8位低功耗全CMOS静态RAM [512K x8 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 387 K
    品牌： EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
     浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM612FS8GU-70LL的Datasheet PDF文件第10页  
    EM641FT8  
    Low Power, 512Kx8 SRAM  
    TIMING DIAGRAMS  
    TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(1) (Address Transition Controlled)  
    tRC  
    Address  
    tAA  
    tOH  
    Previous Data Valid  
    Data Out  
    Data Valid  
    TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(2) (OE Controlled)  
    tRC  
    Address  
    tAA  
    tOH  
    tCO  
    CS  
    tHZ  
    tOE  
    OE  
    tOHZ  
    tOLZ  
    High-Z  
    High-Z  
    Data Out  
    Data Valid  
    tLZ  
    NOTES (READ CYCLE)  
    1. tHZ and tOHZ are defined as the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output voltage levels.  
    2. At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from device to device  
    interconnection.  
    6

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