欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM6141FS8CW-10L 参数 Datasheet PDF下载

EM6141FS8CW-10L图片预览
型号: EM6141FS8CW-10L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 73 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
 浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6141FS8CW-10L的Datasheet PDF文件第11页  
EM641FU16E Series  
merging Memory & Logic Solutions Inc.  
Low Power, 256Kx16 SRAM  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Parameter  
VCC for Data Retention  
Symbol  
VDR  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
ISB1 Test Condition  
1.5  
-
3.3  
V
1)  
(Chip Disabled)  
VCC=1.5V, ISB1 Test Condition  
(Chip Disabled) 1)  
IDR  
Data Retention Current  
-
0.5  
-
mA  
Chip Deselect to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
tSDR  
tRDR  
0
-
-
-
-
See data retention wave form  
ns  
tRC  
NOTES  
1. See the ISB1 measurement condition of datasheet page 4.  
DATA RETENTION WAVE FORM  
tRDR  
tSDR  
Data Retention Mode  
Vcc  
2.7V  
2.2V  
VDR  
CS > Vcc-0.2V or LB=UB ³ V -0.2V  
CC  
CS,LB/UB  
GND  
9