数据表
2GB DDR3无缓冲SDRAM DIMM
EBJ21EE8BAFA （ 256M词
×
72位， 2级）
特定网络阳离子
•
密度： 2GB
•
组织
256M的话
×
72位，2个行列
•
安装18块1G比特DDR3 SDRAM密封
在FBGA
•
包装： 240针插座型双列直插式内存
模块（DIMM）
PCB高度： 30.0毫米
引线间距： 1.0毫米
无铅（符合RoHS）
•
电源： VDD
=
1.5V
±
0.075V
•
数据传输速率： 1333Mbps / 1066Mbps / 800Mbps的（最大）
•
八个内部银行的并发操作
（组件）
•
接口： SSTL_15
•
突发长度（ BL ） ： 8和4突发印章（ BC）
•
/ CAS延迟（CL） ： 6，7 ，8，9
•
/ CAS写入延迟（CWL ） ： 5 ，6，7
•
预充电：对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
•
刷新：自动刷新，自刷新
•
刷新周期
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
特点
•
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
•
高速数据传输是通过8位来实现
预取流水线结构
•
双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）
传输/数据接收的数据采集
接收器
•
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
数据掩码（DM）写入数据
•
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
•
片上端接（ ODT）为更好的信号质量
同步ODT
动态ODT
异步ODT
•
多用途寄存器（ MPR）的温度读
OUT
•
ZQ校准DQ驱动和ODT
•
可编程部分阵列自刷新（ PASR ）
•
/ RESET引脚上电顺序和复位
功能
•
SRT范围：
作者/扩展
自动/手动自刷新
•
可编程输出驱动器阻抗控制
•
B级温度传感器的功能与
EEPROM
一号文件E1235E40 （版本4.0 ）
发布日期2008年12月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2007-2008年
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
