数据表
注册512MB DDR2 SDRAM DIMM
EBE51RD8AEFA-6
（ 64M字
×
72位，1个等级）
描述
该EBE51RD8AEFA是一个64M的话
×
72位， 1级
DDR2 SDRAM模组，安装9个DDR2的
SDRAM封装在FBGA封装。读取和写入
操作都在CK的交叉点处执行
和/ CK 。这种高速数据传输来实现
由4位预取流水线结构。数据
选通（ DQS和/ DQS）无论是读取和写入都
可用于高速和可靠的数据总线设计。
通过设置扩展模式寄存器中，芯片上的延迟
锁定环（DLL ），可以设置允许或禁止。这
模块提供了高密度安装，而无需使用
表面贴装技术。去耦电容
安装在所述模块基板的每个的FBGA旁边。
注意：不要推组件或降
为了模块，以避免机械故障，
这可能会导致电气缺陷。
特点
•
240针插座型双列直插式内存模块
（ DIMM ）
PCB高度： 30.0毫米
引线间距： 1.0毫米
无铅（符合RoHS）
•
电源： VDD
=
1.8V
±
0.1V
•
数据传输速率： 667Mbps （最大）
•
SSTL_18兼容的I / O
•
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
•
双向数据选通（ DQS和/ DQS ）是
发送/与数据接收的，要使用的
在接收器采集数据
•
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
•
四大银行内部的并发操作
（组件）
•
数据掩码（DM）写入数据
•
突发长度： 4,8
•
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
•
自动预充电选项为每个突发访问
•
自动刷新和自刷新模式
•
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
手术
•
1件PLL时钟驱动器， 1个寄存器驱动器
和1个串行EEPROM （ 2K位EEPROM ），用于
检测（ PD ）
EO
一号文件E0789E11 （ 1.1版）
发布日期2006年2月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
该产品成为EOL于2006年11月。
Elpida
内存方面，公司2005-2006年
od
Pr
uc
t
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
