数据表
1GB DDR2 SDRAM SO- DIMM
EBE11UD8AGSA （ 128M词
×
64位， 2级）
描述
该EBE11UD8AGSA是128M的话
×
64位， 2级
DDR2 SDRAM小外形双列直插内存
模块，安装16块512M DDR2位
SDRAM在FBGA封（ μBGA
）封装。阅读和
写入操作时，在交叉点进行
在CK和/ CK 。这种高速数据传输是
由4位预取流水线架构实现。
数据选通（ DQS和/ DQS）既用于读取和写入
可用于高速和可靠的数据总线
设计。通过设置扩展模式寄存器中，芯片上的
延迟锁定环（DLL ），可以设置允许或禁止。
该模块提供了高密度安装，而不
采用表面贴装技术。
脱钩
电容器被安装在每个FBGA （ μBGA ）旁的
模块板。
注意：不要推组件或降
为了模块，以避免机械故障，
这可能会导致电气缺陷。
特点
•
200针插座型小外形双列直插式内存
模块（ SO -DIMM ）
PCB高度： 30.0毫米
引线间距： 0.6毫米
无铅（符合RoHS）
•
电源： VDD
=
1.8V
±
0.1V
•
数据传输速率： 667Mbps / 533Mbps （最大）
•
SSTL_18兼容的I / O
•
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
•
双向，差分数据选通（ DQS和
/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用
在接收器采集数据
•
DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
•
四大银行内部的并发操作
（组件）
•
数据掩码（DM）写入数据
•
突发长度： 4,8
•
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
•
对于每一个突发访问自动预充电操作
•
自动刷新和自刷新模式
•
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
•
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
•
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
•
/ DQS可以用于单端数据选通被禁用
手术
一号文件E0827E10 （版本1.0 ）
发布日期2005年10月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面， 2005年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
