初步数据表
注册512MB DDR SDRAM DIMM
EBD51RD8ABFA
（ 64M字
×
72位，1个等级）
描述
该EBD51RD8ABFA是一个64M的话
×
72位， 1级
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM模块，安装9
片DDR SDRAM的TSOP封装密封。
读取和写入操作都在交叉进行
在CK和/ CK点。这个高速数据
传输是通过2位预取指令流水线实现
架构。数据选通（DQS ），既用于读和
写可用于高速和可靠的数据总线
设计。通过设置扩展模式寄存器中，芯片上的
延迟锁定环（DLL ），可以设置允许或禁止。
该模块提供了高密度安装，而不
采用表面贴装技术。
脱钩
电容器被安装在每一个的TSOP旁
模块板。
特点
•
184针插座型双列直插式内存模块
（ DIMM ）
PCB高度： 30.48毫米
引线间距： 1.27毫米
•
2.5V电源
•
数据传输速率： 333Mbps / 266Mbps （最大）
•
2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O
•
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
•
双向的，数据选通（DQS ）被发送
/接收的数据，在捕获数据中使用
接收器
•
数据输入和输出都与DQS同步
•
4个内部银行的并发操作
（组成）
•
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
•
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
•
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
•
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
•
数据掩码（DM）写入数据
•
自动预充电选项为每个突发访问
•
可编程的突发长度： 2，4， 8
•
可编程/ CAS延迟（CL） ： 2,2.5
•
更新周期： （ 8192刷新周期/ 64ms的）
7.8μs最大平均周期刷新间隔
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
•
1件PLL时钟驱动器， 2个寄存器
司机和1个串行EEPROM （ 2K位
EEPROM ），用于检测（ PD ）
EO
一号文件E0376E10 （版本1.0 ）
发布日期2003年4月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
L
本产品成为了EOL 2004年3月。
Elpida
内存方面，公司。 2003
od
Pr
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uc
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
