数据表
注册128MB DDR SDRAM DIMM
EBD12RB8ALFB
（ 16M字
×
72位， 1银）
描述
该EBD12RB8ALFB是16M
×
72
×
1银行双
数据速率（ DDR ） SDRAM模块，安装9件
的128M比特DDR SDRAM （ EDD1208ALTA ）密封
TSOP封装， 1片的锁相环时钟驱动器，2块的
注册驱动器和1个串行EEPROM （ 2K位
EEPROM ），用于检测（ PD ） 。读取和写入
操作在的交叉点进行
CLK和/ CLK 。这种高速数据传输是
由的2位预取流水线架构实现。
数据选通（DQS ），既用于读操作，写操作可用
用于高速和可靠的数据总线设计。通过设置
扩展模式寄存器中，芯片上的延迟锁定
回路（ DLL） ，可设置启用或禁用。的轮廓
该产品是184针插座式封装（双导
出） 。因此，它使高密度安装
可能没有表面贴装技术。它提供
常见的数据输入和输出。
脱钩
电容器被安装在每一个的TSOP旁
模块板。
特点
•
184针插座型双列直插式内存模块
（ DIMM ）
概要： 133.35毫米（长）
×
30.48毫米（高）
×
4.00毫米（厚度）
引线间距： 1.27毫米
•
2.5V电源（ VDD / VDDQ ）
•
所有的输入和输出SSTL - 2接口
•
时钟频率： 133MHz的/ 100MHz的（最大）
•
数据输入和输出都与DQS同步
•
4银行可以同时运行，
独立地（组成）
•
突发读/写操作
•
可编程的突发长度： 2，4， 8
突发读取停止功能
•
可编程的突发序列
顺序
交错
•
开始寻址能力
奇数和偶数
•
可编程/ CAS延迟（CL） ： 2,2.5
•
4096刷新周期：值为15.6μs （ 4096 / 64毫秒）
•
刷新2变化
自动刷新
自刷新
一号文件E0235E10 （版本1.0 ）
发布日期2001年10月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
C
尔必达内存方面， 2001年公司
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
