互补MOSFET
ELM16601EA-S
■概述
ELM16601EA -S采用先进沟道
技术来提供优良的Rds（on ）
和低栅极电荷。
■特点
N沟道
•
•
•
•
•
P沟道
Vds=30V
Vds=-30V
Id=3.4A(Vgs=10V)
Id=-2.3A(Vgs=-10V)
RDS（ON） <的60mΩ （ VGS = 10V ） RDS（ON） < 135mΩ （ VGS = -10V ）
RDS（ON） < 75mΩ （ VGS = 4.5V ） RDS（ON） < 185mΩ （ VGS = -4.5V ）
RDS（ON） < 115mΩ （ VGS = 2.5V ） RDS（ON） < 265mΩ （ VGS = -2.5V ）
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ ， TSTG
N沟道（最大）
30
±12
3.4
2.7
30
1.15
0.73
-55到150
P- CH（最大）
-30
±12
-2.3
-1.8
-30
1.15
0.73
-55到150
单位注
V
V
A
A
W
°C
1
2
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t≤10s
稳态
稳态
t≤10s
稳态
稳态
RΘJA
RÛJL
RΘJA
RÛJL
P沟道
设备
N沟道
典型值。
78
106
64
78
106
64
马克斯。
110
150
80
110
150
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
3
1
3
■引脚CON组fi guration
SOT- 26 （ TOP VIEW ）
6
●电路
PIN号
1
2
3
4
引脚名称
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
SOURCE1
DRAIN1
G1
S1
• N沟道
D1
• P沟道
D2
5
4
1
2
3
5
6
G2
S2
7-1
ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
