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AIGW40N65H5

IGBT TRENCHSTOP™ 5
双极性晶体管
0 INFINEON

GRM188B11E563MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM188R71E224KA88#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

XDPS2201

XDP™ 数字电源 XDPS2201是一种多模式、数字可配置的混合反激控制器,它结合了传统简化的反激拓扑结构和谐振变换器的性能。通过使用两个高压MOSFET,例如CoolMOSTM,混合反激XDPS2201控制器能够在不对称半桥反激拓扑中驱动高压侧和低压侧MOSFET。通过调节正负磁化电流的方法,可以在初级实现零电压开关和次级实现零电流开关,提高了效率。此外,变压器漏感能量被回收,更进一步提高效率。
变压器开关反激控制驱动控制器高压
0 INFINEON

NSR201MXT5G

用于混音器和检测器的肖特基势垒二极管
二极管
0 ONSEMI

GRM1555C1H2R7CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

TFZV8.2B

TFZV8.2B是小型模具型的齐纳二极管。
二极管齐纳二极管
1 ROHM

GRM21B7U1A823JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

NTHL022N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
暂无信息
0 ONSEMI

GCM1555G1H3R6BA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1882C2A5R6CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

NX138BKW

60 V, N-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

IMZA120R020M1H

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
0 INFINEON

GQM0335C2D5R6WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
2 MURATA

GRM0225C1C7R7CA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA