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FJAFS1510ATU

ESBC 额定 NPN 功率晶体管
晶体管
0 ONSEMI

PMH1200UPE

30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

KSA940TU

PNP外延硅晶体管
晶体管
0 ONSEMI

FDD5690

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,30A,27mΩ
开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

IPL60R285P7

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。
开关脉冲晶体管栅极
0 INFINEON

FDP3651U

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ
局域网开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

GRM21BR71A106KA73#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM21AR60J226ME47#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GCM2195C1H123GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1884C1H1R2CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCE188R71H223KA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

IDK08G120C5

The  CoolSiC™ Schottky diodes generation 5 1200 V, 8 A is now available in a D2PAK real 2-pin package. Connecting SiC diodes in parallel and in a small device package, a high efficient system can be achieved while minimizing board space requirement. The elimination of the middle pin reduces a risk of partial discharge at high voltage and high frequency operation.
暂无信息
0 INFINEON

GRM0225C1H2R8BA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM319B11H333KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM319R71H274KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA