BTD882T3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD882T3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 147 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C848T3 -H

发行日期： 2002年8月18日

修订日期： 2005年9月16日

页页次： 1/4

BTD882T3/S

特点

•

低V

（SAT），通常为0.25V我

/ I

= 2A / 0.2A

•

出色的电流增益特性

•

补充BTB772T3 / S

•

无铅封装可用

符号

BTD882T3

概要

TO-126

B：基本

C：收藏家

E：发射器

权证B

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

注： * 1 。单脉冲PW

≦

350µs,Duty

≦

2%.

符号

CBO

首席执行官

EBO

（DC）的

（脉冲）

(Ta=25℃)

(Tc=25℃)

TSTG

极限

150

-55~+150

单位

°C

BTD882T3/S

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