BTD2098M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD2098M3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 132 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C847M3

发行日期： 2003年4月17日

修订日期：

页页次： 1/4

BTD2098M3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = 0.25 V（典型值），在我

/ I

= 3A / 0.1A

•

优良的直流电流增益特性

•

补充BTB1386M3

符号

BTD2098M3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

TSTG

范围

0.6

150

-55~+150

单位

A（ DC ）

A（脉冲）

°C

注： * 1单脉冲， PW = 10毫秒

* 2印刷电路板，玻璃环氧板， 1.7毫米厚与集电极镀铜10毫米* 10毫米。

* 3当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板。

BTD2098M3

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