BTB772SA3_06 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB772SA3_06
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 144 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C817A3 -R

发行日期： 2003年5月31日

修订日期： 2006年5月15日

页次： 1/4

BTB772SA3

特点

•

低V

（SAT），通常0.3 V ，在我

/ I

= -2A / -0.1A

•

出色的电流增益特性

•

补充BTD882SA3

•

无铅封装

符号

BTB772SA3

概要

TO-92

B：基本

C：收藏家

E：发射器

欧洲央行

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

注：单脉冲PW ≦ 350

S，占空比≦ 2 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

（DC）的

（脉冲）

TSTG

极限

-50

-5

-3

-7

（注）

750

150

-55~+150

单位

°C

BTB772SA3

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