BTB772I3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB772I3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 218 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C817I3 -H

发行日期： 2003年4月2日

修订日期： 2009.02.04

页： 1/5

BTB772I3

特点

•

低V

（SAT），通常0.3 V ，在我

/ I

= -2A / -0.2A

•

出色的电流增益特性

•

补充BTD882I3

•

符合RoHS标准的封装

首席执行官

CESAT

-30V

-3A

150mΩ

符号

BTB772I3

概要

TO-251

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

注： * 1 。单脉冲PW

≦

350μs,Duty

≦

符号

CBO

首席执行官

EBO

（DC）的

（脉冲）

Pd(Ta=25

℃

)

Pd(Tc=25

℃

)

TSTG

极限

-40

-30

-5

-3

-7

150

-55~+150

单位

°C

BTB772I3

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