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    BTB1424L3 参数 Datasheet PDF下载

    BTB1424L3图片预览
    型号： BTB1424L3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低VCE （ SAT） PNP外延平面晶体管 [Low VCE(sat) PNP Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 159 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTB1424L3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTB1424L3的Datasheet PDF文件第3页  
    CYStech电子股份有限公司
    低V
    CE （ SAT ）
    PNP外延平面晶体管
    规格。编号： C817L3
    发行日期： 2003年7月31日
    修订日期： 2004年12月15日
    页页次： 1/3
    BTB1424L3
    特点
    •
    优良的直流电流增益特性
    •
    低饱和电压
    V
    CE
    （SAT） = - 0.4V （典型值） （我
    C
    = -2A ，我
    B
    =-100mA).
    ·补充
    到BTD2150L3
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（DC）的
    集电极电流（脉冲）
    （注1 ）
    功率耗散@ T
    C
    =25℃
    结温
    储存温度
    注：单脉冲， Pw≤10ms ，职务Cycle≤30 ％ 。
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    Pd
    Tj
    TSTG
    范围
    -50
    -50
    -6
    -3
    -5
    （注）
    5
    150
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °C
    °C
    特征
    (Ta=25°C)
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *h
    FE
    f
    T
    COB
    分钟。
    -50
    -50
    -6
    -
    -
    -
    82
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    240
    35
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    -0.5
    560
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    -
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    =-50µA
    I
    C
    =-1mA
    I
    E
    =-50µA
    V
    CB
    =-40V
    V
    EB
    =-5V
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-100mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-100mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -500mA ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0A ， F = 1MHz的
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤380µs,
    值班Cycle≤2 ％
    分类h及
    FE
    秩
    H
    FE
    范围
    P
    82~180
    Q
    120~270
    R
    180~390
    S
    270~560
    BTB1424L3
    CYStek产品规格

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