BTB1132M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1132M3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 152 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C313M3

发行日期： 2003年5月13日

修订日期：

页页次： 1/4

BTB1132M3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = - 0.15V （典型值），在我

/ I

= - 0.5A / - 50毫安

•

补充BTD1664M3

符号

BTB1132M3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（DC）的

集电极电流（脉冲）

功耗

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

范围

-40

-32

-5

-1

-2.5

0.6

150

-55~+150

单位

°C

注： * 1单脉冲， PW = 10毫秒

* 2当安装在40

0.7毫米陶瓷板。

BTB1132M3

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