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BTA1664M3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTA1664M3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 170 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
低VCESAT PNP外延平面晶体管
规格。编号: C315M3
发行日期: 2005年1月25日
修订日期: 2005年11月10日
页页次: 1/4
BTA1664M3
特点
低V
CE
(SAT) ,V
CE
(SAT) = - 0.24V (典型值) ,在我
C
/ I
B
= - 500毫安/ - 20毫安
无铅封装
符号
BTA1664M3
概要
SOT-89
B:基本
C:收藏家
E:发射器
B权证
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
Tj
TSTG
范围
-40
-25
-5
-0.8
-2
*1
0.6
1
*2
2
*3
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注: * 1单脉冲, PW = 10毫秒
* 2当安装在FR-4印刷电路板与测量面积10×10× 1毫米
*3
当安装在陶瓷测量面积40 ×40× 1毫米
BTA1664M3
CYStek产品规格