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DTC114ES3_16 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DTC114ES3_16
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内容描述: [NPN Digital Transistors (Built-in Resistors)]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 269 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C351S3  
Issued Date : 2002.06.01  
Revised Date : 2016.07.18  
Page No. : 2/6  
CYStech Electronics Corp.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Supply Voltage  
Input Voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCC  
VI  
IO  
IO(max.)  
Pd  
Tj  
50  
-10~+40  
50  
V
V
mA  
mA  
mW  
°C  
Output Current  
100  
200  
150  
Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tstg  
-55~+150  
°C  
Electrical Characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Input Voltage  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Test Conditions  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
-
3
-
-
-
-
0.5  
-
0.3  
V
V
V
VCC=5V, IO=100μA  
VO=0.3V, IO=10mA  
IO/II=10mA/0.5mA  
Output Voltage  
Input Current  
-
-
0.88 mA VI=5V  
Output Current  
DC Current Gain  
Input Resistance  
Resistance Ratio  
Transition Frequency  
IO(off)  
GI  
R1  
R2/R1  
fT  
-
30  
7
0.8  
-
-
-
0.5  
-
13  
1.2  
-
μA  
-
kΩ  
-
VCC=50V, VI=0V  
VO=5V, IO=5mA  
-
-
10  
1
250  
MHz VCE=10V, IC=5mA, f=100MHz *  
* Transition frequency of the device  
DTC114ES3  
CYStek Product Specification