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BTN3501J3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTN3501J3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 164 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C606J3  
Issued Date : 2003.10.07  
Revised Date :2004.04.12  
Page No. : 3/4  
CYStech Electronics Corp.  
Current Gain vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
10000  
1000  
100  
1000  
100  
10  
V
CE(SAT)  
VCE = 5V  
VCE = 2V  
IC = 20IB  
IC = 50IB  
VCE = 1V  
IC = 10IB  
10  
1
10  
100  
1000  
10000  
10000  
200  
1
10  
100  
1000  
10000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector Current---IC(mA)  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Power Derating Curve  
10000  
1000  
100  
2
1.75  
1.5  
1.25  
1
VCE(SAT) @ IC = 10IB  
0.75  
0.5  
0.25  
0
1
10  
100  
1000  
0
50  
100  
150  
200  
Ambient Temperature---T (℃)  
A
Collector Current---IC(mA)  
Power Derating Curve  
25  
20  
15  
10  
5
0
0
50  
100  
150  
Case Temperature---TC(℃)  
BTN3501J3  
CYStek Product Specification