欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BTN3501I3 参数 Datasheet PDF下载

BTN3501I3图片预览
型号: BTN3501I3
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 152 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
 浏览型号BTN3501I3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTN3501I3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTN3501I3的Datasheet PDF文件第4页  
Spec. No. : C606I3  
Issued Date : 2003.11.25  
CYStech Electronics Corp.  
Revised Date : 2004.06.17  
Page No. : 2/4  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCEO(SUS)  
80  
-
-
10  
50  
0.3  
0.6  
1.5  
1.2  
1.5  
-
V
µA  
µA  
V
IC=30mA, IB=0  
ICES  
-
-
VCE=80V, VBE=0  
VEB=5V,IC=0  
IEBO  
-
-
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE 1  
*hFE 2  
*hFE 3  
fT  
1
2
3
1
2
-
0.1  
IC=2A, IB=200mA  
IC=8A, IB=400mA  
IC=5A, IB=50m A  
IC=2A, IB=200mA  
IC=8A, IB=800mA  
-
-
V
-
-
-
V
-
-
V
-
V
200  
200  
100  
-
-
-
VCE=1V, IC=100mA  
VCE=1V, IC=2A  
-
400  
-
-
-
-
VCE=1V, IC=4A  
50  
130  
-
-
MHz  
pF  
VCE=6V, IC=500mA, f=20MHz  
Cob  
-
VCB=10V, f=1MHz  
*Pulse Test : Pulse Width 380µs, Duty Cycle2%  
Classification of VCE(sat) 3  
Rank  
Range  
KA  
< 360mV  
KB  
350mV~900mV  
N
800mV~1500mV  
BTN3501I3  
CYStek Product Specification