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BTD882T3S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTD882T3S
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 147 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C848T3-H  
Issued Date : 2002.08.18  
Revised Date : 2005.09.16  
Page No. : 2/4  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=50µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
IE=50µA, IC=0  
VCB=50V, IE=0  
VEB=3V, IC=0  
IC=2A, IB=0.2A  
IC=2A, IB=0.2A  
VCE=2V, IC=20mA  
VCE=2V, IC=1A  
VCE=5V, IC=0.1A, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
40  
-
-
V
30  
-
-
-
V
5
-
V
-
-
1
µA  
µA  
V
IEBO  
-
-
0.25  
-
1
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE1  
*hFE2  
fT  
-
-
0.5  
2
V
52  
100  
-
-
-
90  
45  
-
-
500  
-
-
MHz  
pF  
Cob  
-
-
*Pulse Test : Pulse Width 380µs, Duty Cycle2%  
Classification Of hFE 2  
Rank  
Q
P
E
Range  
100~200  
160~320  
250~500  
Ordering Information  
Device  
BTB882T3  
BTB882T3S  
Package  
TO-126  
TO-126  
(Pb-free)  
Shipping  
500 pcs / bag  
500 pcs / bag  
BTD882T3/S  
CYStek Product Specification