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BTD2150N3 参数 Datasheet PDF下载

BTD2150N3图片预览
型号: BTD2150N3
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内容描述: 低VCE ( SAT) NPN外延平面晶体管 [Low VCE(sat) NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 173 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C848N3-A  
Issued Date : 2004.03.26  
Revised Date : 2004.11.08  
Page No. : 2/4  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
60  
-
-
V
IC=100µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
IE=50µA, IC=0  
VCB=40V, IE=0  
VEB=5V, IC=0  
60  
-
-
V
6
-
-
V
-
-
100  
100  
0.3  
0.5  
1.5  
-
nA  
nA  
V
IEBO  
-
-
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE1  
*hFE2  
*hFE3  
fT  
-
-
-
0.25  
-
IC=400mA, IB=20mA  
IC=2A, IB=100mA  
V
-
V
IC=2A, IB=200mA  
120  
120  
100  
-
-
-
VCE=2V, IC=100mA  
VCE=2V, IC=500mA  
VCE=2V, IC=1A  
-
820  
-
-
-
-
-
-
90  
45  
MHz  
pF  
VCE=5V, IC=0.1A, f=100MHz  
Cob  
-
VCB=10V, f=1MHz  
*Pulse Test : Pulse Width 380µs, Duty Cycle2%  
Classification Of hFE 2  
Rank  
Q
R
S
T
Range  
120~270  
180~390  
270~560  
390~820  
BTD2150N3  
CYStek Product Specification