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    BTD2118J3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD2118J3图片预览
    型号： BTD2118J3
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    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 151 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD2118J3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTD2118J3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTD2118J3的Datasheet PDF文件第4页  
    Spec. No. : C847J3  
    Issued Date : 2003.03.26  
    Revised Date :2004.07.02  
    Page No. : 2/4  
    CYStech Electronics Corp.  
    Characteristics (Ta=25°C)  
    Symbol  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    Test Conditions  
    IC=50µA, IE=0  
    BVCBO  
    BVCEO  
    BVEBO  
    ICBO  
    50  
    -
    -
    V
    20  
    -
    -
    V
    IC=1mA, IB=0  
    IE=50µA, IC=0  
    VCB=40V, IE=0  
    VEB=5V, IC=0  
    IC=4A, IB=0.1A  
    VCE=2V, IC=0.5A  
    6
    -
    -
    -
    V
    -
    0.5  
    0.5  
    1
    µA  
    µA  
    V
    IEBO  
    -
    -
    *VCE(sat)  
    *hFE  
    -
    120  
    -
    0.35  
    -
    560  
    -
    -
    fT  
    Cob  
    150  
    35  
    MHz  
    pF  
    VCE=6V, IC=50mA, f=100MHz  
    VCB=20V, f=1MHz  
    -
    -
    *Pulse Test : Pulse Width ≤380µs, Duty Cycle≤2%  
    Classification Of hFE  
    Rank  
    Q
    R
    S
    Range  
    120~270  
    180~390  
    270~560  
    BTD2118J3  
    CYStek Product Specification  

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