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BTD1864I3 参数 Datasheet PDF下载

BTD1864I3图片预览
型号: BTD1864I3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 158 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C848I3  
Issued Date : 2003.04.18  
Revised Date : 2004.06.30  
Page No. : 2/4  
CYStech Electronics Corp.  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCES  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
80  
-
-
V
IC=10µA, IE=0  
80  
-
-
V
IC=100µA, RBE=0  
IC=1mA, IB=0  
50  
-
-
V
V
6
-
-
-
IE=10µA, IC=0  
VCB=40V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
-
1
µA  
µA  
mV  
mV  
V
IEBO  
-
-
1
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
1
2
-
-
135  
IC=1A, IB=50mA  
IC=2A, IB=100mA  
IC=2A, IB=100mA  
VCE=2V, IC=20mA  
-
-
240  
*VBE(sat)  
*hFE1  
*hFE2  
*hFE3  
fT  
-
-
1.2  
100  
-
-
-
180  
-
820  
-
VCE=2V, IC=500mA  
100  
-
-
-
-
-
-
-
-
VCE=2V, IC=1A  
-
-
-
-
-
400  
15  
35  
300  
20  
MHz  
pF  
ns  
ns  
ns  
VCE=10V, IC=500mA, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
Cob  
ton  
VCC=25V, IC=10IB1=-10IB2=1A,  
tstg  
RL=25  
tf  
*Pulse Test : Pulse Width 380µs, Duty Cycle2%  
Classification Of hFE2  
Rank  
R
S
T
Range  
180~390  
270~560  
390~820  
BTD1864I3  
CYStek Product Specification