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BTD1664M3 参数 Datasheet PDF下载

BTD1664M3图片预览
型号: BTD1664M3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 150 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C223M3  
Issued Date : 2003.05.26  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 2/4  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=10µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
IE=10µA, IC=0  
VCB=20V. IE=0  
VEB=4V,IC=0  
IC=400mA, IB=20mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=800mA, IB=80mA  
VCE=2V, IC=500mA  
VCE=2V, IC=100mA  
VCE=2V, IC=500mA  
VCE=2V, IC=800mA  
VCE=5V, IE=50mA, f=100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
40  
20  
5
-
-
V
-
-
V
-
-
V
-
-
-
0.5  
0.5  
0.3  
0.4  
0.5  
1
µA  
µA  
V
IEBO  
-
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
*VCE(sat)  
1
-
0.15  
0.2  
0.25  
-
2
3
-
V
-
V
*VBE(on)  
*hFE1  
*hFE2  
*hFE3  
fT  
-
V
82  
82  
80  
-
-
560  
560  
-
-
-
-
-
-
-
-
150  
15  
MHz  
pF  
Cob  
-
*Pulse Test : Pulse Width 380us, Duty Cycle2%  
Classification Of hFE2  
Rank  
P
Q
R
S
Range  
82~180  
120~270  
180~390  
270~560  
Characteristic Curves  
Current Gain vs Collector Current  
Saturation Voltage vs Collector Current  
1000  
1000  
VCE(SAT)@IC=20IB  
HFE@VCE=2V  
100  
10  
1
100  
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Collector Current ---IC(mA)  
Collector Current--- IC(mA)  
BTD1664M3  
CYStek Product Specification